HỒ SƠ TÀI LIỆU · #12.819
Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate
Năm xuất bản2014
Nguồn học thuậtECS Journal of Solid State Science and Technology
Định danhDOI 10.1149/2.0121408jss
TRÍCH DẪN ĐỀ XUẤTAPA 7
K. Alassaad; M. Vivona; V. Soulière; B. Doisneau; F. Cauwet; D. Chaussende; F. Giannazzo; F. Roccaforte; G. Ferro (2014). Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 3(8), P285-P292. https://doi.org/10.1149/2.0121408jss
01