Ultrahigh electron mobility in suspended graphene

Kirill I. Bolotin; Kenneth Sikes; Zhewei Jiang; Martin Klíma; Geoffrey Fudenberg; James Hone; Philip Kim; H. L. Störmer

Năm xuất bản2008

Nguồn học thuậtSolid State Communications

Định danhDOI 10.1016/j.ssc.2008.02.024

TRÍCH DẪN ĐỀ XUẤTAPA 7

Kirill I. Bolotin; Kenneth Sikes; Zhewei Jiang; Martin Klíma; Geoffrey Fudenberg; James Hone; Philip Kim; H. L. Störmer (2008). Ultrahigh electron mobility in suspended graphene. Solid State Communications, 146(9-10), 351-355. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2008.02.024

Thông tin thư mục

Nguồn/Tạp chí: Solid State Communications
Tập: 146
Số: 9-10
Trang: 351-355
Nhà xuất bản: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.ssc.2008.02.024 ↗

Từ khóa

Graphene; Materials science; Electron mobility; Electrode; Electron; Electron-beam lithography; Optoelectronics; Etching (microfabrication); Cathode ray; Electron transport chain; Layer (electronics); Nanotechnology; Chemistry; Resist; Physics