ẢNH HƯỞNG CỦA BIẾN DẠNG PHẲNG LÊN TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ QUANG HỌC CỦA ĐƠN LỚP GaSe

Vật liệu hai chiều có cấu trúc lớp đã được quan tâm đặc biệt trong suốt gần hai thập kỷ qua do chúng có nhiều tính chất vật lý và hóa học nổi trội. Trong bài báo này, sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ, chúng tôi nghiên cứu một cách có hệ thống sự ảnh hưởng của biến dạng lên các tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe. Các tính toán của chúng tôi chỉ ra rằng đơn lớp GaSe ở trạng thái cân bằng là một chất bán dẫn có vùng cấm xiên với năng lượng là 1,903 eV. Các tính chất điện tử của đơn lớp GaSe, đặc biệt là năng lượng của vùng cấm, phụ thuộc rất lớn vào biến dạng. Đơn lớp GaSe có phổ hấp thụ rộng, trải dài từ miền ánh sáng nhìn thấy đến vùng tử ngoại gần. Bên cạnh đó, biến dạng làm thay đổi đáng kể cường độ cũng như vị trí của các đỉnh trong phổ quang học của đơn lớp GaSe.